Presentation Information
[17a-PA2-23]Suppression of domain formation in AgCrSe2 thin films by high-temperature growth using Ag-rich targets in pulsed-laser deposition
〇Haruto Sato1, Kenshin Inamura1, Kota Mihara1, Junichi Siogai1,2, Kazuki Kudo1,2, Jobu Matsuno1,2 (1.Dept. of Phys., Univ. Osaka, 2.OTRI-Spin, Univ. Osaka)
Keywords:
thin film new materials
先行研究において、AgCrSe2のパルスレーザー堆積法(PLD)による薄膜化を行い、Ag/Cr比を2にしたターゲットを用いて単相膜を得た。また、詳細な構造解析により結晶内に分極および60°の面内回転ドメインがあることがわかった。本研究では、ターゲットのAg/Cr比をさらに増加させて薄膜を作成することで、単相膜が得られる製膜温度や結晶性の向上、複数ドメインの抑制に成功した。