講演情報
[17a-PA2-23]Ag 過剰ターゲットを用いたパルスレーザー堆積法によるAgCrSe2 薄膜の高温成長とドメイン生成の抑制
〇佐藤 晏人1、稲村 健臣1、三原 輝太1、塩貝 純一1,2、工藤 一貴1,2、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大 OTRI スピン)
キーワード：
薄膜新材料
先行研究において、AgCrSe2のパルスレーザー堆積法(PLD)による薄膜化を行い、Ag/Cr比を2にしたターゲットを用いて単相膜を得た。また、詳細な構造解析により結晶内に分極および60°の面内回転ドメインがあることがわかった。本研究では、ターゲットのAg/Cr比をさらに増加させて薄膜を作成することで、単相膜が得られる製膜温度や結晶性の向上、複数ドメインの抑制に成功した。