Presentation Information
[17a-PB1-22]MBE growth of β-phase MoO3 single-crystal thin films and their application in proton-gated FETs using a Nafion electrolyte
〇Yuto Kanbayashi1, Sena Yamamoto1, Hiroto Tsuruyama1, Yuichi Hirofuji1, Nobuya Hiroshiba1, Kazuto Koike1 (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC)
Keywords:
MoO3,proton-gated FET,Nafion
MBE法によりLSAT基板上にエピタキシャル成長させたβ相MoO3薄膜をチャネル層とし、固体電解質Nafion/シリカ積層膜をゲート層とするプロトンゲートFETを作製した。シリカ膜はTEOS系ゾルゲル溶液をスピンコート法で形成し、その上にNafion膜を熱圧着した。電気特性評価の結果、プロトン注入によるモリブデンブロンズ形成に起因する3桁の電流変調を伴う不揮発ヒステリシス特性が得られ、シナプス型素子への応用可能性を示した。