講演情報
[17a-PB1-22]β相MoO3単結晶薄膜のMBE成長とNafion電解質を用いたプロトンゲートFETへの応用
〇上林 優斗1、山本 勢那1、鶴山 大翔1、広藤 裕一1、廣芝 伸哉1、小池 一歩1 (1.大阪工大ナノ材研センタ)
キーワード：
三酸化モリブデン、プロトンゲートFET、ナフィオン
MBE法によりLSAT基板上にエピタキシャル成長させたβ相MoO3薄膜をチャネル層とし、固体電解質Nafion/シリカ積層膜をゲート層とするプロトンゲートFETを作製した。シリカ膜はTEOS系ゾルゲル溶液をスピンコート法で形成し、その上にNafion膜を熱圧着した。電気特性評価の結果、プロトン注入によるモリブデンブロンズ形成に起因する3桁の電流変調を伴う不揮発ヒステリシス特性が得られ、シナプス型素子への応用可能性を示した。