Presentation Information
[17a-PB1-29]Crystallization Behavior of Amorphous TiO2 Thin Film Deposited by Sputtering
〇Koji Arafune1, Yuki Taketani1, Keisuke Nakayama1, Kenji IImura1, Kouji Maeda1 (1.Univ. of Hyogo)
Keywords:
Titanium Oxide,Crystallization,Avrami equation
Si基板上に製膜したアモルファス酸化チタン薄膜に対して熱処理を行い、薄膜の結晶化挙動について検討を行った。Avrami式でfittingしてアレニウスプロットを行った結果、熱処理温度300℃付近で速度定数は大きく変化することが判った。また、Avrami指数も300℃付近で傾向が変化した。