Presentation Information
[17a-PB2-2]Analysis of Power Law Exponent in Atmospheric Photoelectron Yield Spectroscopy of HF-treated Si Surfaces
〇Shinjiro Yagyu1, Takahiro Nagata1, Yoshiyuki Nakajima2 (1.NIMS, 2.Rikenkeiki)
Keywords:
Photoelectron Yield Spectroscopy,log-log plot,Si
HF処理したSi表面の大気中PYS測定にて、べき指数nを両対数法で定量した。低ドープはn≈1.5で安定し表面バンドからの直接遷移を示した。P型高ドープはn≈2で散乱・不完全準位の影響であると考えられ、N型高ドープは初期n≈1.7から時間と共に増加し2を超え、大気酸化で表面秩序が失われ不完全性準位(n=2)へ変化した。べき指数の評価は表面の秩序性や散乱を反映し、実用表面の放出機構評価に有用であると考えられる。