[17a-PB2-1~9] 12.2 評価・基礎物性

[17a-PB2-2] HF 処理 Si 表面の大気中光電子収量分光におけるべき乗則の解析と放出機構の考察

〇柳生 進二郎¹、長田 貴弘¹、中島 嘉之² (1.NIMS、2.理研計器)

キーワード：

光電子収量分光、両対数プロット、Si

HF処理したSi表面の大気中PYS測定にて、べき指数nを両対数法で定量した。低ドープはn≈1.5で安定し表面バンドからの直接遷移を示した。P型高ドープはn≈2で散乱・不完全準位の影響であると考えられ、N型高ドープは初期n≈1.7から時間と共に増加し2を超え、大気酸化で表面秩序が失われ不完全性準位(n=2)へ変化した。べき指数の評価は表面の秩序性や散乱を反映し、実用表面の放出機構評価に有用であると考えられる。