[17a-WL2_401-1~11] 3.13 Silicon photonics, Photonics-electronics convergence, Optical control

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17a-WL2_401-7] Effect of Silicon Nanowire Etching Time on Reflectance Reduction in the Terahertz Band

〇(M1C)Koki Shirakawa¹, Yoshiki Sugimoto¹, Shinya Kato¹ (1.Nagoya Institute of Technology)

Keywords:

Silicon Nonowire,Silicon antenna lens in the Terahertz band

本講演では、テラヘルツ帯アンテナ用シリコンレンズの反射率低減を目的として、シリコンナノワイヤ（SiNW）疑似モスアイ構造の形成条件と反射特性の関係を検討した結果を報告する。MACE法によりエッチング時間を制御してSiNW構造を形成し、反射率測定を行った。その結果、エッチング時間に最適条件が存在し、実効的な層厚が反射抑制に重要であることを明らかにした。今回はこのエッチング時間と反射特性に関して議論する。