[17p-M_101-1~18] 17.2 Graphene

5:30 PM - 5:45 PM JST(8:30 AM - 8:45 AM UTC)

[17p-M_101-13] Graphene-InGaAs PIN heterojunction for near-infrared photodetection

〇Shoichiro Fukushima¹, Masaaki Shimatani¹, Manabu Iwakawa¹, Shinpei Ogawa¹ (1.Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:

graphene,InGaAs,near-infrared

我々は主に光ゲート効果を用いたグラフェン光検出器の高感度化検討を行ってきた。これまでに、InGaAs PINフォトダイオード構造上にグラフェン電界効果トランジスタを形成し、近赤外光を高感度に検出可能であることを示した。本研究ではさらなる高性能化を目指し、InGaAs PINフォトダイオードにグラフェンをヘテロ接合した構造による近赤外光検出について報告する。