[17p-M_101-1~18] 17.2 グラフェン

17:30 〜 17:45

[17p-M_101-13] グラフェン-InGaAs PINヘテロ接合を用いた近赤外光検出

〇福島 昌一郎¹、嶋谷 政彰¹、岩川 学¹、小川 新平¹ (1.三菱電機（株）)

キーワード：

グラフェン、InGaAs、近赤外

我々は主に光ゲート効果を用いたグラフェン光検出器の高感度化検討を行ってきた。これまでに、InGaAs PINフォトダイオード構造上にグラフェン電界効果トランジスタを形成し、近赤外光を高感度に検出可能であることを示した。本研究ではさらなる高性能化を目指し、InGaAs PINフォトダイオードにグラフェンをヘテロ接合した構造による近赤外光検出について報告する。