[17p-M_278-1~16] 6.1 Ferroelectric thin films

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-M_278-9] Effect of strain-induced phase transition on piezoelectric properties in BiFe_1-xMn_xO₃ epitaxial thin films

〇Kira Fujihara¹, Aphayvong Sengsavang¹, Meika Takagi¹, Kohei Takaki¹, Yohane Fujibayashi¹, Shuichi Murakami², Hidemasa Yamane², Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ., 2.ORIST.)

Keywords:

Piezoelectric thin film,Epitaxial film,BiFeO3

ペロブスカイト型強誘電体はモルフォトロピック相境界で圧電特性が向上することが知られている。BFO薄膜は基板との格子不整合に起因するエピタキシャル歪により歪誘起相転移と圧電応答の向上が報告されている。しかし、多くは酸化物単結晶基板上の圧縮歪下に限られ、Si基板上で導入される引張歪下での実験的検討は十分でない。本研究では、Mn置換BFO薄膜をSi基板上に成長させ、結晶構造と圧電特性の関係を調べた。