[17p-M_278-1~16] 6.1 強誘電体薄膜

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[17p-M_278-9] BiFe_1-xMn_xO₃エピタキシャル膜における歪誘起相転移が圧電特性に及ぼす影響

〇藤原 輝羅¹、Sengsavang Aphayvong¹、高城 明佳¹、高木 昂平¹、藤林 世覇音¹、村上 修一²、山根 秀勝²、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工、2.大阪技術研)

キーワード：

圧電体薄膜、エピタキシャル膜、BiFeO3

ペロブスカイト型強誘電体はモルフォトロピック相境界で圧電特性が向上することが知られている。BFO薄膜は基板との格子不整合に起因するエピタキシャル歪により歪誘起相転移と圧電応答の向上が報告されている。しかし、多くは酸化物単結晶基板上の圧縮歪下に限られ、Si基板上で導入される引張歪下での実験的検討は十分でない。本研究では、Mn置換BFO薄膜をSi基板上に成長させ、結晶構造と圧電特性の関係を調べた。