[17p-PA4-1~1] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[17p-PA4-1] Ab Initio Calculation of the Elastic Stiffnesses of Au-Semiconductor Alloys

〇(M1)Mikio William YoshiokaHunter¹, Kentaro Kyuno¹ (1.Shibaura Inst. Tech.)

Keywords:

Semiconductor,Metal-Induced Crystallization

共晶系の金属とアモルファス半導体の積層薄膜において、固相結晶化温度等と比較して低温で半導体が結晶化する現象が知られており、金属誘起結晶化と呼ばれている。この理由をよく把握することは結晶成長制御等への応用へ繋がるものと考えられる。このため、第一原理計算によりAuSi、AuGe合金について弾性スティフネス計算を行った。この結果、特にせん断方向について値の大きな低下が見られた。