Presentation Information
[17p-PA5-8]Control of the turn-on voltage in nonvolatile resistive switching memory using a Si/CaF2 quadruple-barrier resonant tunneling structure
〇Keita Saito1, Ken Hattori1, Syu Igari1, Takahiro Kobayashi1, Reo Yamashita1, Masahiro Watanabe1 (1.Science Tokyo)
Keywords:
ReRAM,Resonant Tunneling Diode,quantum well
Si/CaF2ヘテロ構造は界面における伝導体バンド不連続が大きく、また結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に数原子層の積層エピタキシャル成長が可能であるため、室温においても高速動作に必要な電流駆動能力を有する共鳴トンネル系集積デバイスの構成材料として有望だ。本研究では、四重障壁共鳴トンネル構造の立ち上がり電圧の制御を目的とした素子の設計・作製を行った。