講演情報
[17p-PA5-8]Si/CaF2四重障壁共鳴トンネル構造を用いた不揮発性抵抗変化メモリの立ち上がり電圧制御
〇齋藤 恵多1、服部 堅1、猪狩 秀1、小林 隆弘1、山下 怜央1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大)
キーワード：
ReRAM、共鳴トンネルダイオード(RTD)、量子井戸
Si/CaF2ヘテロ構造は界面における伝導体バンド不連続が大きく、また結晶構造が類似で格子定数が近いことからSi基板上に数原子層の積層エピタキシャル成長が可能であるため、室温においても高速動作に必要な電流駆動能力を有する共鳴トンネル系集積デバイスの構成材料として有望だ。本研究では、四重障壁共鳴トンネル構造の立ち上がり電圧の制御を目的とした素子の設計・作製を行った。