Presentation Information
[17p-PA5-9]Reduction of leakage current in Si/CaF2 double-barrier resonant tunnel diodes by acceleration voltage optimization in ion-beam epitaxy
〇Ken Hattori1, Keita Saitou1, Syu Igari1, Takahiro Kobayashi1, Yuji Ishikawa1, Masahiro Watanabe1 (1.Science Tokyo)
Keywords:
semiconductor,resonant tunnel diode
Si/CaF2ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いため，Si基板上に積層エピタキシャル成長が可能である．また，MA/cm2オーダーの電流密度を確保しつつ，室温において大きなピーク対バレー電流比(PVCR)を有する共鳴トンネルダイオード(RTD) の構成材料として有望である．今回，加速電圧を最適化する研究を行い，従来より低い加速電圧を用いてPVCRの向上が観測できたので報告する．