講演情報
[17p-PA5-9]イオンビームエピタキシー法における加速電圧最適化による
Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードのリーク電流低減
〇服部 堅1、斎藤 恵多1、猪狩 秀1、小林 隆弘1、石川 友志1、渡辺 正裕1 (1.東京科学大)
キーワード：
半導体、共鳴トンネルダイオード
Si/CaF2ヘテロ構造は，結晶構造が類似で格子定数が近いため，Si基板上に積層エピタキシャル成長が可能である．また，MA/cm2オーダーの電流密度を確保しつつ，室温において大きなピーク対バレー電流比(PVCR)を有する共鳴トンネルダイオード(RTD) の構成材料として有望である．今回，加速電圧を最適化する研究を行い，従来より低い加速電圧を用いてPVCRの向上が観測できたので報告する．