[17p-W9_323-1~10] CS.7 Code-sharing Session of 6.5 & 7.5

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[17p-W9_323-1] Role of Si surface electronic states in O₂ dissociative adsorption: Comparison of Si(001) and Si(111)

〇Yasutaka Tsuda¹, Yuki Okabe², Hengyu Wen², Akitaka Yoshigoe¹, Shuichi Ogawa², Yuji Takakuwa³ (1.JAEA, 2.Nihon univ., 3.Tohoku univ.)

Keywords:

silicon,oxidation,X-ray photoemission spectroscopy

Si表面反応におけるO₂吸着はSi(001) とSi(111)で大きく異なる。本研究では、それぞれ半導体的、金属的な表面電子状態をとる点に注目し、これまでに提案した、Loop A/B and L-Pモデルに基づいてO₂解離過程の違いを考察した。