[17p-W9_323-1~10] CS.7 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

13:30 〜 13:45

[17p-W9_323-1] O₂解離吸着におけるSi表面電子状態の役割：Si(001)とSi(111)の比較

〇津田 泰孝¹、岡部 優希²、WEN Hengyu²、吉越 章隆¹、小川 修一²、髙桑 雄二³ (1.原子力機構、2.日本大学、3.東北大学)

キーワード：

シリコン、酸化、X線光電子分光

Si表面反応におけるO₂吸着はSi(001) とSi(111)で大きく異なる。本研究では、それぞれ半導体的、金属的な表面電子状態をとる点に注目し、これまでに提案した、Loop A/B and L-Pモデルに基づいてO₂解離過程の違いを考察した。