Presentation Information
[17p-W9_325-7]Influence of Fixed Charges and Interface States on the Passivation Properties of SiOxNy Films Deposited by Cat-CVD
〇Yinuo Song1, Kensaku Maeda1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST)
Keywords:
Silicon oxynitride,Surface passivation,Cat-CVD
Cat-CVD法により堆積したSiOₓNᵧ膜のパッシベーション特性について、容量－電圧(C-V)測定を用いて電気的特性を評価した。酸素流量の変化によりC-V特性のヒステリシス挙動が変化し、膜および界面近傍の電荷状態が影響を受けることが示唆された。また、フラットバンド電圧から算出した固定電荷密度Qfは、酸素導入により低下する傾向を示した。これらの結果をキャリア寿命特性と比較し、SiOₓNᵧ膜のパッシベーション性能変化について考察する。