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[17p-W9_325-7]Cat-CVD法により堆積したSiOxNy膜のパッシベーション特性への固定電荷および界面準位の影響
〇宋 一諾1、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
酸窒化Si、表面パッシベーション、触媒化学気相堆積
Cat-CVD法により堆積したSiOₓNᵧ膜のパッシベーション特性について、容量－電圧(C-V)測定を用いて電気的特性を評価した。酸素流量の変化によりC-V特性のヒステリシス挙動が変化し、膜および界面近傍の電荷状態が影響を受けることが示唆された。また、フラットバンド電圧から算出した固定電荷密度Qfは、酸素導入により低下する傾向を示した。これらの結果をキャリア寿命特性と比較し、SiOₓNᵧ膜のパッシベーション性能変化について考察する。