[17p-WL2_101-1~10] CS.6 Code-sharing Session of 6.3 & 6.4

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[17p-WL2_101-7] Gate-Tunable Emergence of Mott and Efros-Shklovskii VRH Phases in La_1-xCe_xNiO₂

Sugata Koura¹, Hiroyoshi Nobukane², Yoshiyuki Egami¹, 〇Masahito Sakoda¹ (1.Eng., Hokkaido Univ., 2.Sci., Hokkaido Univ.)

Keywords:

Nickelate oxide,Electron double layer transistor

MBE 法を用いてLa_1-xCe_xNiO₃薄膜を作製し還元した。得られた La_1-xCe_xNiO₂を用いた電気二重層トランジスタを作製して、キャリアドープを行った。ゲート電圧 = 5 Vを印加することで、電子ドープによる電気抵抗率の顕著な増加が確認された。これにより、常磁性金属からMott variable-range hopping相への移行を確認した。また、負のゲート電圧によって、絶縁体から金属化する試料も測定した。Mott相/ES相にある La_1-xCe_xNiO₂に対する電子／正孔ドープの結果についての詳細を報告する。