[17p-WL2_101-1~10] CS.6 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

15:15 〜 15:30

[17p-WL2_101-7] La_1-xCe_xNiO₂におけるMott VRH相とEfros-Shklovskii VRH相の電界誘起自在制御

小浦 姿¹、延兼 啓純²、江上 喜幸¹、〇迫田 將仁¹ (1.北大工、2.北大理)

キーワード：

ニッケル酸化物、電気二重層トランジスタ

MBE 法を用いてLa_1-xCe_xNiO₃薄膜を作製し還元した。得られた La_1-xCe_xNiO₂を用いた電気二重層トランジスタを作製して、キャリアドープを行った。ゲート電圧 = 5 Vを印加することで、電子ドープによる電気抵抗率の顕著な増加が確認された。これにより、常磁性金属からMott variable-range hopping相への移行を確認した。また、負のゲート電圧によって、絶縁体から金属化する試料も測定した。Mott相/ES相にある La_1-xCe_xNiO₂に対する電子／正孔ドープの結果についての詳細を報告する。