Presentation Information
[18a-S2_202-4]Exploring silicon G centers for highly integrated quantum interfaces
〇Yuma Honda1, Akira Kamimaki2,3, Taichi Fujiwara1, Daisuke Ito1, Yuhei Sekiguchi2,3, Kota Takenaka4, Shinobu Onoda4, Hideo Kosaka1,2,3 (1.Yokohama Natl Univ., 2.IAS Yokohama Natl Univ., 3.QIC Yokohama Natl Univ., 4.QST)
Keywords:
Quantum information,Silicon
量子ネットワーク実現に向け、超伝導量子ビットの情報を光に変換するオプトメカニカル共振器(OMC)が研究されている。集積性に課題があるダイヤモンドの代替として、通信帯で発光するSOI中のG中心が注目されているが、設計に不可欠なZPL線幅は未解明である。そこで本研究では、SOI薄膜中にG中心を生成し、PLスペクトル測定からZPL線幅の評価を行った。
