講演情報
[18a-S2_202-4]高集積量子インターフェースに向けたシリコン G 中心の探索
〇本田 雄真1、上牧 瑛2,3、藤原 太朔1、伊藤 大輔1、関口 雄平2,3、竹中 康太4、小野田 忍4、小坂 英男1,2,3 (1.横国大院工、2.横国大IAS、3.横国大QIC、4.QST高崎)
キーワード:
量子情報、シリコン
量子ネットワーク実現に向け、超伝導量子ビットの情報を光に変換するオプトメカニカル共振器(OMC)が研究されている。集積性に課題があるダイヤモンドの代替として、通信帯で発光するSOI中のG中心が注目されているが、設計に不可欠なZPL線幅は未解明である。そこで本研究では、SOI薄膜中にG中心を生成し、PLスペクトル測定からZPL線幅の評価を行った。
