[18a-W8E_101-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[18a-W8E_101-9] Nanowire fabrication by photo-electro-chemical etching using UVA and UVC light

〇Hisahiro Furuuchi^1,2, Taketomo Sato^1,2, Junichi Motohisa^1,2 (1.Hokkaido Univ. IST, 2.RCIQE)

Keywords:

GaN,Nanowire,PEC etching

光電気化学(PEC)エッチングは電解液-半導体界面における光電気化学酸化と生成酸化物の溶解により進行するGaN(0001)面の低損傷加工手法で、マスクとの選択比が高く、常温常圧において低エネルギーで実施可能という特徴を有する。また、外部回路や基板への配線が不要なコンタクトレス(CL)PECエッチングは、トレンチ構造やナノワイヤ(NW)作製に適用可能である。NW作製の際、UVA光とUVC光とを組みわせて用いることによってエッチングレートの増大が可能であるが、マスク下側へのアンダーカットエッチングがより顕著に発生する。今回、エッチング時間・UVA光強度を変化させつつ、エッチングによるNWの形状変化の過程を詳細に追跡し、エッチング過程について考察・検討したので報告する。