[18a-WL2_101-1~11] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-WL2_101-6] Simultaneous evaluation of strain and luminescence properties in Eu-doped GaN

〇(B)Yuya Hinokuchi¹, Hodaka Kubo², Keito Mori-Tamamura², Yasufumi Fujiwara³, Kazunobu Kojima², Shuhei Ichikawa^2,4 (1.The Univ. of Osaka, 2.Grad. Sch. Eng., The Univ. of Osaka, 3.ROST, Ritsumeikan Univ., 4.Research Center for UHVEM, The Univ. of Osaka)

Keywords:

Rare earth-doped semiconductor,Eu-doped GaN,Micro-Raman spectroscopy

単一基板上に同一材料系で広色域RGBマイクロLEDを実現するにあたり、Eu添加GaNを用いた赤色LEDが注目を集めている。マイクロLED作製プロセスなどによる局所的な歪変化に対する、Eu³⁺イオンの周辺局所構造の変化を可視化する手法として、(0001)サファイア基板上にMOVPEにより成長したGaN:Eu薄膜に対して、色素レーザを用いて、フォトルミネッセンス測定とラマン分光測定の同点・同時計測系を構築し、GaN:Euの歪と発光特性を評価した。