[18a-WL2_101-1~11] 13.8 光物性・発光デバイス

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[18a-WL2_101-6] Eu添加GaNにおける歪・発光の同点計測系の構築と評価

〇(B)樋之口 裕也¹、久保 穂高²、森 恵人²、藤原 康文³、小島 一信²、市川 修平^2,4 (1.阪大工、2.阪大院工、3.立命館大総研、4.阪大電顕センター)

キーワード：

希土類添加半導体、Eu添加GaN、顕微ラマン分光

単一基板上に同一材料系で広色域RGBマイクロLEDを実現するにあたり、Eu添加GaNを用いた赤色LEDが注目を集めている。マイクロLED作製プロセスなどによる局所的な歪変化に対する、Eu³⁺イオンの周辺局所構造の変化を可視化する手法として、(0001)サファイア基板上にMOVPEにより成長したGaN:Eu薄膜に対して、色素レーザを用いて、フォトルミネッセンス測定とラマン分光測定の同点・同時計測系を構築し、GaN:Euの歪と発光特性を評価した。