[18p-M_178-1~8] 17.3 Layered materials

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-M_178-6] Fabrication of Mn-Si-Te ternary films via amorphous crystallization process

〇Fumiya Sano¹, Mihyeon Kim¹, Shogo Hatayama², Misako Morota², Yuta Saito^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.SFRC, AIST)

Keywords:

two-dimensional layered materials,magnetic materials

二次元層状強磁性材料は, 極薄膜での磁気特性の維持や欠陥の少ない表面による高いスピン輸送効率により, 次世代のスピントロニクスデバイスなどへの応用が期待されている. Mn-Si-Te三元系の二次元層状強磁性材料はバルクでの作製報告しか存在せず, デバイス応用のために大面積への薄膜成膜が不可欠である. 本研究では, スパッタリング法により成膜したアモルファスMn-Si-Te三元系薄膜を熱処理によって結晶化させ結晶構造と磁気特性を調査した.