[18p-M_B104-1~8] 12.4 Organic light-emitting devices, organic transistors, and flexible devices

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[18p-M_B104-5] Study on Extrinsic Charge-Carrier Trapping in Organic Semiconductor Laser Materials

〇(M1)Keigo Ishii^1,2, Kenichi Goushi¹, Chihaya Adachi^1,2,3 (1.Kyushu Univ., 2.OPERA, Kyushu Univ., 3.I2CNER, Kyushu Univ.)

Keywords:

organic semiconductor laser,charge-carrier trapping

有機半導体レーザー材料について、BZCzおよびBZCz2を用いた単層ホールオンリーデバイスを作製し、J–V特性の解析から外因性トラップ密度を評価した。その結果、BZCzはほぼトラップフリーであった一方、BZCz2は高いトラップ密度を示した。MDシミュレーションより、BZCz2ではかさ高い置換基を有するために自由体積の割合が大きく、不純物侵入による外因性トラップ形成が示唆された。