[18p-M_B104-1~8] 12.4 有機EL・トランジスタ・フレキシブルデバイス

14:45 〜 15:00

[18p-M_B104-5] 有機半導体レーザー材料における外因性電荷トラップに関する研究

〇(M1)石井 慶吾^1,2、合志 憲一¹、安達 千波矢^1,2,3 (1.九大工、2.九大OPERA、3.九大I2CNER)

キーワード：

有機半導体レーザー、電荷トラップ

有機半導体レーザー材料について、BZCzおよびBZCz2を用いた単層ホールオンリーデバイスを作製し、J–V特性の解析から外因性トラップ密度を評価した。その結果、BZCzはほぼトラップフリーであった一方、BZCz2は高いトラップ密度を示した。MDシミュレーションより、BZCz2ではかさ高い置換基を有するために自由体積の割合が大きく、不純物侵入による外因性トラップ形成が示唆された。