[2A01-06] 中性子計測

11:00 〜 11:15

[2A04] シリコンカーバイド(SiC)半導体検出器を用いた飛行時間法による中性子エネルギースペクトルの計測

*永井 寛大¹、島添 健次¹、Moh Hamdan¹、青山 敬²、鈴木 崇仁²、中村 尚司^2,3 (1. 東大、2. 富士電機、3. 東北大)

キーワード：

放射線検出器、半導体検出器、中性子、飛行時間法、SiC

シリコン(Si)半導体に比べ耐熱性・耐放射線性が高く幅広い環境で使用可能なシリコンカーバイド(SiC)半導体を用いた中性子検出器の研究において、熱中性子の計測実験や検出器構造の最適化を行ってきた一方で高速中性子などのより広い中性子エネルギー帯の検出は未検討であった。そこで今回は飛行時間法を用い、大強度陽子加速器施設 (J-PARC)のBL10にて、中性子のエネルギースペクトルを計測する実験を行った。