[C-3_C-4] 光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス

15:30 〜 15:45

[C-3_C-4-38] 小片接合技術を用いたInP 系多層量子井戸/Si 導波路集積p-i-n 型マッハツェンダ多値変調素子

〇田中 肇^1,2,3、糟谷 直孝^1,2,3、三澤 太一²、小松 憲人^1,2,3、井上 尚子^1,2,3、菊地 健彦^1,2,3、御手洗 拓矢^1,2,3、木村 峻^1,2、藤原 直樹^1,2,3、西山 伸彦^1,3、八木 英樹^1,2,3 (1. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所、2. 住友電気工業株式会社、3. 東京科学大学)

キーワード：

変調素子、InP、Si導波路、小片接合

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