セッション詳細
[C-3_C-4]光エレクトロニクス／レーザ・量子エレクトロニクス
2026年3月12日(木) 13:45 〜 17:00
1号館 3階 S301(九州産業大学)
座長:藤澤 剛(法政大学)、丸山 武男(金沢大学)
[C-3_C-4-33]（依頼講演30分）高速動的単一モード半導体レーザ
〇八坂 洋1 (1. 東北大学)
[C-3_C-4-34]AlGaInAs/GaInAsP VVV型タイプII量子井戸による1.3μm帯レーザ発振
〇今村 明博1、北條 直也2、吉田 琢真1、肖 何1、横内 則之1 (1. 古河電気工業株式会社、2. 古河ファイテルオプティカルデバイス株式会社)
[C-3_C-4-35]光源の電力効率向上に向けた量子井戸インターミキシングを用いたSSC集積半導体レーザ
◎高張 真美1、上田 悠太1、鄭 源宰1、進藤 隆彦1、下小園 真1、西口 克彦2、中島 史人1 (1. NTT株式会社 デバイスイノベーションセンタ、2. NTT株式会社 物性科学基礎研究所)
[C-3_C-4-36]Theoretical Analysis of the Impact of Carrier Effects on the Modulation Bandwidth of Complex-Coupled Grating Membrane DFB Lasers
◎△Chongrui Zhang1, Kiyoto Takahata1, Tatsurou Hiraki2, Takuma Aihara2, Shinji Matsuo2, Takaaki Kakitsuka1 (1. Waseda Univ., 2. NTT Inc.)
[C-3_C-4-37]通信波長帯単一光子源に向けた低密度化量子ドットの蛍光寿命評価
〇川本 青空1,2、赤羽 浩一2、山田 晋矢2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1. 青山学院大学、2. 情報通信研究機構)
休憩時間
[C-3_C-4-38]小片接合技術を用いたInP 系多層量子井戸/Si 導波路集積p-i-n 型マッハツェンダ多値変調素子
〇田中 肇1,2,3、糟谷 直孝1,2,3、三澤 太一2、小松 憲人1,2,3、井上 尚子1,2,3、菊地 健彦1,2,3、御手洗 拓矢1,2,3、木村 峻1,2、藤原 直樹1,2,3、西山 伸彦1,3、八木 英樹1,2,3 (1. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所、2. 住友電気工業株式会社、3. 東京科学大学)
[C-3_C-4-39]小片接合技術を用いたIII-V 薄膜/Si MOS型マッハツェンダ変調器
〇糟谷 直孝1,2,3、小松 憲人1,2,3、田中 肇1,2,3、井上 尚子1,2,3、菊地 健彦1,2,3、御手洗 拓矢1,2,3、木村 峻1,2、藤原 直樹1,2,3、竹中 充4、西山 伸彦1,3、八木 英樹1,2,3 (1. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所、2. 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所、3. 東京科学大学 工学院電気電子系、4. 東京大学大学院 工学系研究科・電気系工学専攻)
[C-3_C-4-40]オンチップRCLフィルタによる高電力効率のシリコン集中定数型MZMの帯域拡張
◎陳 漢偉1,2、蘇武 洋平1,2、田中 信介1,2 (1. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所、2. 1FINITY株式会社)
[C-3_C-4-41]水晶基板上a-Si装荷型薄膜LN光変調器の電極構造の最適設計
◎三浦 和也1、川原 啓輔1、堀川 剛1、Eissa Moataz1、大礒 義孝1、西山 伸彦1,3、矢島 隆雅2、野中 健太朗2 (1. 東京科学大学工学院電気電子系、2. 日本ガイシ株式会社、3. 東京科学大学次世代半導体エコシステム共創センター)
[C-3_C-4-42]SiN ソリトン結晶と Si リング変調器による IM-DD エラーフリー伝送
◎菅野 凌1、今村 万太郎1、白崎 敦郎1、木暮 蒼真1、岡野 誠2、藤井 瞬1、田邉 孝純1 (1. 慶應義塾大学、2. 産業技術総合研究所)
[C-3_C-4-43]光直交変調器を用いた全自動平坦光コム生成のための並列型二段階パラメータ制御法
◎△橋原 航志郎1、原田 駿1、坂本 高秀1 (1. 東京都立大学)