講演情報
[C-3_C-4-39]小片接合技術を用いたIII-V 薄膜/Si MOS型マッハツェンダ変調器
〇糟谷 直孝1,2,3、小松 憲人1,2,3、田中 肇1,2,3、井上 尚子1,2,3、菊地 健彦1,2,3、御手洗 拓矢1,2,3、木村 峻1,2、藤原 直樹1,2,3、竹中 充4、西山 伸彦1,3、八木 英樹1,2,3 (1. 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所、2. 住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所、3. 東京科学大学 工学院電気電子系、4. 東京大学大学院 工学系研究科・電気系工学専攻)
キーワード：
III-V/Si 異種材料集積技術、マッハツェンダ変調器、MOS構造