セッション詳細
[S2]ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2
2020年3月18日(水) 12:45 〜 18:00
I会場 西講義棟2_1階W611
座長:福山 博之(東北大学)、吉川 健(東京大学)、原田 俊太(名古屋大学)
座長時間
12:45～14:25 福山
14:40～16:00 吉川
16:15～18:00 原田
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と外国人特別講演は5～10分）
12:45～14:25 福山
14:40～16:00 吉川
16:15～18:00 原田
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と外国人特別講演は5～10分）
[S2.1][基調講演] ワイドギャップ半導体SiCの単結晶成長と拡張欠陥の低減
*大谷 昇1 (1. 関学大理工)
[S2.2]溶液法による高品質N型3インチ4H-SiC結晶の成長
*朱 燦1、郁 万成1、幾見 基希2、党 一帆2、安藤 圭理2、海野 高天2、原田 俊太1,2、田川 美穂1,2、宇治原 徹1,2,3 (1. 名大未来研、2. 名大院工、3. 産総研GaN-OIL)
[S2.3]Si-Cr溶液中4H-SiC(000-1)における界面再構成
Yuchuan YAO1、吉田 果歩1、*吉川 健1、Didier CHAUSSENDE2 (1. 東大生研、2. Grenoble－Alpes Univ.-CNRS)
[S2.4]微粒子応用SiCの高速液相エピタキシャル成長
*山口 彰太1、鳴海 大翔2、吉川 健1 (1. 東大 生研、2. 東大 生研(現：京都大学))
休憩
[S2.5][基調講演] オペランドX線トポグラフィー法を用いた動作中SiC MOSFET内における積層欠陥拡張の観察
*島 明生1、小西 くみこ1、藤田 隆誠1、小林 慶亮1、米山 明男1、毛利 友紀1 (1. (株)日立製作所 研究開発グループ)
[S2.6]X線トポグラフィー高温その場観察による4H-SiC結晶における積層欠陥エネルギーの直接測定
藤榮 文博1、*原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2,3 (1. 名大工、2. 名大未来研、3. 産総研GaN-OIL)
[S2.7]6H-SiCの周期ステップ構造を利用した3C-SiCの核生成制御
*川西 咲子1、渡邊 遼2、柴田 浩幸1 (1. 東北大多元研、2. 東北大多元研(現: 日本海事協会))
休憩
[S2.8][基調講演] Naフラックス法を基軸としたGaNウエハの事業化戦略
*森 勇介1、今西 正幸1、村上 航介1、吉村 政志1、守山 実希2、隅 智亮3、滝野 淳一3、岡山 芳央3 (1. 阪大、2. 豊田合成、3. パナソニック)
[S2.9]Ni-Alフラックスを用いたAlN結晶成長
*安達 正芳1、神原 新1、大塚 誠1、福山 博之1 (1. 東北大多元研)
[S2.10]Cr-Ni溶媒を用いたAlNの溶液成長における諸因子
黒坂 真一朗1、*福田 敦1、鳴海 大翔2、川西 咲子3、吉川 健1 (1. 東大生研、2. 東大生研（現：京大）、3. 東北大多元研)
[S2.11]イオン研磨によるβ-Ga2O3の研磨損傷層除去の試みとその評価
*田中 孝治1、大曲 新矢1、立木 実2、高野 美和子2、渡邊 幸志1、梅沢 仁1 (1. 産総研、2. 物材機構)