講演情報
[S2.2]溶液法による高品質N型3インチ4H-SiC結晶の成長
*朱 燦1、郁 万成1、幾見 基希2、党 一帆2、安藤 圭理2、海野 高天2、原田 俊太1,2、田川 美穂1,2、宇治原 徹1,2,3 (1. 名大未来研、2. 名大院工、3. 産総研GaN-OIL)
キーワード：
溶液法、高品質、N型4H-SiC結晶、3イン
In this study, Sc is proved to effectively suppress hetero crystals. By adding Sc, we can obtain high quality and large size N-type SiC by solution method.