セッション詳細
[S9]S9 ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシングIII
2021年9月16日(木) 13:00 〜 16:10
M会場 ZoomM会場
座長:福山 博之(東北大学)、宇治原 徹(名古屋大学)
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5～10分）
（質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5～10分）
[S9.4][基調講演]CFDおよびAIを用いたTSSG法によるSiC結晶作製時の移動現象の解明と最適条件探索
*岡野 泰則1、竹原 悠人2 (1. 阪大基礎工、2. 阪大基礎工（学生）)
[S9.5]溶液成長法による6インチSiC結晶の育成において活用したプロセス・インフォマティクス技術開発
*宇治原 徹1,2,3,4、朱 燦1、角岡 洋介1、鈴木 皓己1、郁 万成1、劉 欣博、黨 一帆、古庄 智明1、磯野 優1、沓掛 健太朗、原田 俊太1、田川 美穂1 (1. 名古屋大学、2. 理化学研究所、3. 産業技術総合研究所、4. UJ-Crystal)
[S9.6]高オフ角基板を用いた溶液法／昇華法のハイブリッド技術による貫通らせん転位を大幅に低減した4H-SiCバルク結晶成長
*三谷 武志1、江藤 数馬1、百瀬 賢治2、加藤 智久1 (1. 産総研、2. 昭和電工)
[S9.7]界面再構成法によるSi基合金中4H-SiC (000-1)面の1873 Kにおける初期ステップ構造
*青木 秀人1、Chaussende Didier2、川西 咲子3、三谷 武志4、吉川 健1 (1. 東京大学、2. Grenoble-Alpes Univ.-CNRS、3. 東北大学、4. 産業技術総合研究所)
休憩
[S9.8][基調講演]静電浮遊法を用いた高温融体の熱物性計測
*石川 毅彦1 (1. 宇宙航空研究開発機構)
[S9.9]溶融Si及びFe-Si合金の表面物性に及ぼす炭素の影響
*吉川 健1、鳴海 大翔2 (1. 東大、2. 東大（現：京大）)
[S9.10]SiC微粒子分散Si-Cr溶媒を用いたSiCの液相エピタキシャル成長初期挙動
*樫村 知之1、山口 彰太1、吉川 健1 (1. 東大生研)