セッション詳細

[G]電気・電子・光関連材料

2022年3月16日(水) 13:00 〜 16:35
H会場
座長:田邉 匡生(芝浦工業大学)、安藤 大輔(東北大学)、齊藤 雄太(産総研)
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
(質疑応答時間5分、基調講演と招待講演は5~10分)

[242]Cr2Ge2Te6アモルファス薄膜の結晶化に伴う局所構造変化

*齊藤 雄太1、畑山 祥吾1、シュアン イ2、フォンス ポール1,3、コロボフ アレクサンダー1,4、須藤 祐司2,5 (1. 産総研デバイス技術、2. 東北大AIMR、3. 慶應大理工、4. ゲルツェン大、5. 東北大工)

[243]窒素含有Cr2Ge2Te6相変化材料の光学特性変化

*双 逸1、畑山 祥吾2、安藤 大輔2、須藤 祐司1,2 (1. 東北大AIMR、2. 東北大工)

[244]MnTe化合物薄膜の機械的特性と多形変化

*森 竣祐1、王 吟麗1、安藤 大輔1、成田 史生2、須藤 祐司1,3 (1. 東北大工、2. 東北大環境、3. 東北大学材料科学高等研究所)

[245]MnTe薄膜におけるレーザー加熱による多形変化の顕微ラマン観察

*金 美賢1、森 竣祐1、双 逸2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1. 東北大工、2. 東北大材料科学高等研究所)

休憩

[246]Hf-O-Te系アモルファス薄膜の電気伝導機構

*畑山 祥吾1、齊藤 雄太1,2、内田 紀行1,2 (1. 産総研、2. 産総研-NEC 量子活用テクノロジー連携研究ラボ)

[247]HARECXS法によるBaTiO3中の各種ドーパントの占有サイト解析

*大塚 真弘1、忽那 真也2、武藤 俊介1 (1. 名大未来研、2. 京セラ)

[248]スパッタリングターゲットにFeOを用いたGe添加Fe3O4薄膜の耐酸化性

*阿部 世嗣1 (1. 電磁研)

[249]GeFeO 系固溶体のサブテラヘルツスペクトル測定

*佐藤 世1、田邉 匡生1、阿部 世嗣2 (1. 芝浦工大デザイン,2.電磁材料研究所)

休憩

[250]6H-SiCにおけるVの固溶形態:PLと理論計算

*陳 輝1、森田 一樹2 (1. 東大工(院生)、2. 東大工(教授))

[251]高抵抗Fe-Cr-Al-Co合金の抵抗温度係数に及ぼす組成および熱処理条件の影響

*監物 幸翼1、安藤 大輔2、石田 清仁2、須藤 祐司2,3 (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工、3. 東北大AIMR)

[253]アイソタクチックPPのテラヘルツ吸収スペクトル

*岩嵜 郁樹1、高山 哲生2、佐々木 哲朗3、田邉 匡生1 (1. 芝浦工業大、2. 山形大、3. 静岡大)

[254]層状半導体InSeによる光検出デバイス作製

*田内 一輝1、唐 超2、阿部 世嗣3、田邉 匡生1 (1. 芝浦工業大学、2. 東北大学、3. 公益財団法人電磁材料研究所)