講演情報
[S1.7]走査透過電子顕微鏡法によるSiC-MOS界面の局所電荷解析
○西内 悠1、遠山 慧子1、佐々野 駿1、内田 雄太郎1、田村 敦史1、喜多 浩之1、関 岳人1、柴田 直哉1 (1. 東京大学)
キーワード：
SiC-MOS、DPC STEM、STEM-EELS
本研究は，tDPC STEMおよびSTEM-EELSを用いてNO酸窒化処理を施したSiC-MOS界面の組成・電荷分布を評価した．Au/SiO₂およびSiO₂/SiC界面への窒素偏析を確認し，その分布が正の電荷分布と空間的に一致することを実験的に明らかにした．
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