[P] P144~P151　物性

[P149] In₃SbTe₂薄膜を用いたRFスイッチデバイスの開発

○中田 智子¹、双 逸^2,3、安藤 大輔¹、須藤 祐司^1,2 (1. 東北大工、2. 東北大(AIMR)、3. 東北大(FRIS))

キーワード：

薄膜、相変化、カルコゲナイド、RFスイッチ、高アイソレーション

RFスイッチには、ON状態での低信号損失とOFF状態での高アイソレーションの両立が求められる。本研究では、In₃SbTe₂を用いたRFスイッチを作製し、その電気特性を評価することで、デバイスへの適用可能性を検討した。