[P] P88~P100　材料プロセシング

[P96] Cu/Siの直接接合における電気アシスト条件の影響

○畑山 瑠衣¹、小山 真司¹ (1. 群馬大)

キーワード：

Cu、Si、電気アシスト、電流値、直接接合

半導体デバイスでは、異種材料接合技術の重要性が高まっている。界面の酸化膜による接合不良が課題であり、原子拡散促進や界面活性化により低温・短時間での直接接合が可能になる「電気アシスト接合」が注目されている。そこで、Cu/Siの固相拡散接合における電気アシスト条件が及ぼす影響を調査し, 接合強度向上を検討する．