[G] 電気・電子・光関連材料

9:15 〜 9:30

[128] スパッタリング法で作製した2Dトランジスタ向けHigh-k Bi₂TeO₅ 絶縁膜

○河野 陽生¹、畑山 祥吾²、金 美賢¹、齊藤 雄太¹ (1. 東北大学、2. 産業技術総合研究所)

キーワード：

二次元材料、誘電体材料、High-k材料

RFスパッタ法によりBi₂O₃/TeO₂を同時成膜し，真空熱処理によってBi₂TeO₅薄膜を作製した。成膜した膜はアモルファスであり，350 ℃熱処理により大面積基板上でc軸配向した単相結晶膜が得られた。さらに，Eg=3.1 eV，k=24を示し，2D high-k絶縁膜として有望性を実証した。