[P] P202~P216　力学特性

[P205] Si単結晶におけるP，Bが降伏応力に及ぼす影響

○草野 太貴¹、森川 龍哉¹、山﨑 重人¹、田中 將己¹、藤瀬 淳²、小野 敏昭² (1. 九州大、2. （株）SUMCO)

キーワード：

シリコン単結晶、降伏応力、転位

B添加Siの1173～1323 K高温引張試験により，B濃度増加は全温度域でCRSSを上昇させ，主に非熱的応力を増大させることを示した．また，活性化エネルギー約4.5 eVから，降伏は自己拡散に関連した転位運動を伴う増殖が律速と考え，P添加Siとの相違とB原子の長範囲障碍性を考察する．