講演情報
[P81]斜入射蒸着InN薄膜の空隙構造に及ぼす基板前処理の影響
○牛木 大誠1、井上 泰志1、高井 治2 (1. 千葉工大院工、2. 表面・超原子研)
キーワード：
InN薄膜、斜入射堆積（GLAD）法、機能性薄膜
斜入射蒸着法で作製したInN薄膜において，プラズマイオンエッチングによる基板前処理が空隙構造に及ぼす影響を調査した．前処理により結晶構造を大きく変化させることなく空隙率および平均空隙幅が増加し，InN薄膜の微細構造制御に有効な手法であることを示した．
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