[16a-A21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-A21-7] 多層極性反転積層構造の作製に向けたN極性GaN/Ga極性GaN
エピタキシャル極性反転プロセス

〇池田 和久¹、上田 佳奈子¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：

半導体、窒化物