講演情報

[16a-A21-7]多層極性反転積層構造の作製に向けたN極性GaN/Ga極性GaN
エピタキシャル極性反転プロセス

〇池田 和久1、上田 佳奈子1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
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キーワード:

半導体、窒化物


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