[16a-A21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[16a-A21-8] 極性反転積層構造におけるAlN表面酸化プロセスの研究

〇玉野 智大¹、正直 花奈子^1,2、赤池 良太^1,3、安永 弘樹^1,3、中村 孝夫^1,3、上向井 正裕⁴、谷川 智之⁴、片山 竜二⁴、三宅 秀人^1,3 (1.三重大院工、2.京大院工、3.半導体・デジタル未来創造センター、4.阪大院工)

キーワード：

窒化物半導体、スパッタリング、極性反転