[16a-A22-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30

[16a-A22-1] 集積化に向けたGaN on-diamond HEMTチャネル周辺の表面温度評価

〇富山 葉月¹、浦谷 泰基²、坂井田 佳紀²、西林 良樹³、竹内 茉莉花³、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公大工、2.エア・ウォーター、3.住友電工)

キーワード：

多結晶ダイヤモンド、GaN HEMT

低コスト化に向け、バックプレート上多結晶ダイヤモンドを用いてGaN on-diamond HEMTの作製に成功した。作製したデバイスを用い、集積化に向けチャネル近傍での温度上昇抑制を目標とし、チャネル領域内外におけるゲート幅方向の表面温度評価を行った。On-Si HEMTと比較した結果、on-diamond HEMTはチャネル近接領域での温度勾配が急峻であり、素子の高密度集積に有利であることが確認できた。