2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-A22-1~9]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年9月16日(月) 9:15 〜 11:30
A22 (朱鷺メッセ2F)
細井 卓治(関学大)
9:15 〜 9:30

[16a-A22-1]集積化に向けたGaN on-diamond HEMTチャネル周辺の表面温度評価

〇富山 葉月1、浦谷 泰基2、坂井田 佳紀2、西林 良樹3、竹内 茉莉花3、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工、2.エア・ウォーター、3.住友電工)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-A22-2]ダイヤモンド上GaN HEMTの作製と特性の評価

〇(M1)砂本 陽成1、大野 裕2、井上 耕治2、永井 康介2、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工、2.東北大金研)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[16a-A22-3]マルチフィンガー構造を有するダイヤモンド増幅器

〇(D)久樂 顕1,2、小松崎 優治1、山口 裕太郎1、新庄 真太郎1、荒井 雅一2、川原田 洋2 (1.三菱電機、2.早稲田大学)
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10:00 〜 10:15英語発表

[16a-A22-4]Fabrication of High Off-State Voltage (4266 V) Diamond MOSFETs

〇Niloy Chandra Saha1, Toshiyuki Oishi1, Makoto Kasu1 (1.Saga Univ.)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[16a-A22-5]ダイヤモンドMOS電界効果トランジスタの1440時間連続動作

〇白土 智基1、サハ ニロイ チャンドラ1、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工)
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10:30 〜 10:45奨励賞エントリー英語発表

[16a-A22-6]Deep-level transient spectroscopy analysis of trap states in β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 modulation-doped field-effect transistors

〇Yun Jia1, Fenfen Fenda Florena1, Ryo Morita1, Aboulaye Traore1, Hironori Okumura1, Takeaki Sakurai1 (1.Univ. of Tsukuba)
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10:45 〜 11:00

[16a-A22-7]Double-Dope構造InP-HEMTにおけるドープ濃度の影響

〇佐々木 太郎1、堤 卓也2、杉山 弘樹1、吉屋 佑樹1、星 拓也1、中島 史人1 (1.NTT先デ研、2.大阪公立大)
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11:00 〜 11:15

[16a-A22-8]半導体レーザのしきい値電流変動のメカニズム

〇上辻 哲也1、奥 友希1、丹羽 顕嗣1、中村 直幹1 (1.三菱電機株式会社)
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11:15 〜 11:30

[16a-A22-9]InP/InAlAs複合コレクタを適用した高耐圧InP系DHBTのエピタキシャル成長

〇星 拓也1、白鳥 悠太1、中島 史人1 (1.NTT先端集積デバイス研)
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