[16a-A22-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-A22-2] ダイヤモンド上GaN HEMTの作製と特性の評価

〇(M1)砂本 陽成¹、大野 裕²、井上 耕治²、永井 康介²、重川 直輝¹、梁 剣波¹ (1.大阪公大工、2.東北大金研)

キーワード：

表面活性化接合法、窒化ガリウム、ダイヤモンド

GaN HEMTは自己発熱による性能と信頼性が低下する課題に直面している。そのため、熱伝導率の高いダイヤモンドを放熱基板として使用する構造が注目されている。そこで、表面活性化接合法（SAB）を用いて、GaN HEMT構造をダイヤモンド基板に転写することで、GaN/ダイヤモンド接合構造を作製した。これにより、従来の構造と比べて出力の向上を確認した。